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MOS管和IGBT管有什么区别?别傻傻分不清了

   日期:2021-07-29     来源:平尚    作者:平尚    浏览:40    评论:0    
核心提示:MOS管全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于场效应管的栅极被绝缘层隔离,又称之为绝缘栅场效应管
   在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,都能作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数很相似,但有些电路用MOS管,而有的用IGBT管?平尚小编分享MOS管和IGBT管的区别吧!
   MOS管:场效应管主要有结型场效应管和绝缘栅场效应管。
   MOS管全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于场效应管的栅极被绝缘层隔离,又称之为绝缘栅场效应管。
    MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性,在电路中,可以用作放大器、电子开关等用途。
 绝缘栅双极型晶体管(IGBT?):是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。作为新型电子半导体器件,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电子电路中应用的比较广泛
   IGBT的电路符号目前为止还没统一,画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号,这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。
   IGBT内部的体二极管不是寄生的,为了保护它的反向耐压因此又称为续流二极管。
   判断IGBT内部是否有体二极管很简单,可以用万用表测量IGBT的C极和E极,如果IGBT是好的,C、E两极测得电阻值无穷大,则说明IGBT没有体二极管。适应用于变频器、开关电源、照明电路等领域。
 
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